基于国内首条4英寸化合物研制工艺线开展GaAs器件工艺、新结构器件、工艺和器件建模、电路研制等研究，成功地开发出完备的GaAs HEMT和HBT整套工艺流程，并研制成功fT>872GHz的0.1μm T型栅PHEMT、fT>92GHz的2μm HBT、增强型HEMT等器件和2.5GHz低噪声放大器、2.5-10GHz跨阻放大器、10Gb/s GaAs PHEMT光调制器驱动电路及10Gb/s InGaP/GaAs HBT光调制器驱动器等电路。
毫米波InP基器件与电路研究
主要从事毫米波超低噪声InP 基HEMT器件研究、特殊结构InP 基PHEMT和HBT器件研发、InP基MMIC设计技术与制作工艺研究，现已建立了纳米栅InP基HEMT工艺流程。
宽禁带化合物半导体（GaN）器件与电路研究
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料体系的代表，由于其优良高温及高频特性已成为如今国际上研究的热点。先后与中科院半导体所和物理所合作开展GaN材料、器件、电路和理论等方面研究----采用国产材料研制出国内领先的AlGaN/ GaN HEMT器件：Imax = 0.92A/mm(Vgs=1V)，gm-extrinsic= 184mS/mm fT = 18.76GHz fmax>25GHz，大尺寸的GaN功率器件：Imax = 1.42A(Vgs=0.5V) Wgate = 1.6mm。现正在开展C-X波段GaN 功率器件和MMIC研究。
微波单片集成电路（MMIC）设计和测试技术
主要开展GaAs基微波毫米波低噪声放大电路、功率放大电路、宽频带放大电路、激光调制驱动电路等多种单片集成电路（MMIC）的设计与测试。
新一代模块技术研究
采用自主开发的无源耦合和准无源耦合技术实现光电模块的组装，如今正致力于新一代光电发射模块、微波混合集成电路模块研究。[2]
综上所述，本文已为讲解微波器件与集成电路学科方向，相信大家对微波器件与集成电路学科方向的认识越来越深入，希望本文能对各位读者有比较大的参考价值。
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