一、工艺平台
中国科学院微波器件与集成电路研究室（四室）从“七五”期间开始从事化合物半导体特种器件和电路的研究。2001年通过与硅研制工艺线共同使用部分关键设备、仪器和设施，率先在国内建成了一条整套化合物半导体器件和电路研制线。2002年，在中国科学院的支持下研究室开展GaN功率器件和电路的研制，2003年，开发成功具有自主知识产权的2英寸蓝宝石衬底C波段GaN功率器件和InP HEMT/HBT流程，2007年，开发成功具有自主知识产权的2英寸SiC衬底的GaN功率器件工艺流程，申请核心专利18多项。
二、测试平台
中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室在国家多个科研项目的资助和领导的支持下，建成了微波毫米波器件和电路测试平台，配置了一套基于高频数字、S参数、瞬态、功率、在片和封装及模块测试等要求的设备和仪器，同时还具有IC-CAP建模软件、ADS仿真软件以及CADENCE设计软件，可满足本项目的测试与建立器件模型的要求。测试人员在多年的实际工作中积累了丰富的微波毫米波测试能力，同时支撑了很多的国家纵向项目。
该平台与国内的多个科研院所建立了长期的服务与合作关系，还与安捷伦公司合作建立了微波模块联合试实验室。同时该平台也负责支撑室内的各个科研项目，主要承担高频器件和电路的在片及封装模块的高频S参数测试、Loadpull和建模等工作。先后购置了Cascade Summit 9000高频微波探针台、Cascade 12000 高低温微波探针台、SUSS PA200 半自动微波探针台、HP8510C矢量网络分析仪（45MHz-26.1GHz）、HP8563E频谱分析仪（9KHz-26.5MHz）、HP 83752B合成扫频源（10MHz-20GHz）、HP8349B微波信号功率放大器（2-20GHz）、BONN BLMA 6018-35 微波功率放大器（6-18GHz）、Agilent PNA E8363B矢量网络分析仪（10MHz-40GHz）、Agilent E4417A双通道功率计等大批射频微波测试设备[3]。
综上所述，本文已为讲解微波器件与集成电路的科研实力，相信大家对微波器件与集成电路的科研实力的认识越来越深入，希望本文能对各位读者有比较大的参考价值。
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