光电三极管的基本特性
在上篇的文章中，已经为大家讲解过光电三极管是什么了，相信大家都了解它的个工作原理和测试方法了吧。本文再续接着光电三极管的内容讲，不过下面本文是光电三极管的特性及选择相关内容。

1、伏安曲线

光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。

光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。

2、时间响应

光电三极管的时间响应常和PN结的结构及偏置电路等参数有关。

光电三极管的时间响应由以下四部分组成：

① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；

② 光生载流子渡越基区所需要的时间；

③ 光生载流子被收集到集电极的时间；

④输出电路的等效负载电阻RL和等效电容Cce所构成的RC时间；

总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。
3、光谱响应

光电二极管和光电三极管具有相同的光谱响应。

它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μm。

4、温度影响

硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大作用，所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多。

光电三极管的种类选择

由外观上，可以区分为罐封闭型和树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式 及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方 言之，材料有硅(Si)和锗(Ge)，大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通晶体管型和达林顿 晶体管型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光敏三极管和需要直线性之光敏三极管，但光敏三极管的主流为交换组件，需要直线性时，通常使用光二极管。

在实际选用光敏三极管时，应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管；如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光敏三极管，通过偏置取得合 适的工作点，提高光电流的放大系数。例如，探测10-3勒克斯的弱光，光敏三极管的暗电流必须小于0.1nA。

总而言之，在学完本文后，相信大家都应该能够：说明光电三极管的基本特性；参与讨论光电三极管的种类选择。但学海无涯，我们还得一如既往的努力踏实的学习，只有这样才能成为合格的人才。

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