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场效应管和晶闸管的区别

发布时间:2020-04-09

【导读】场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件,但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅,可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。
 
场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件,但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅,可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。

什么是场效应管
这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极,分别为栅极G、源极S和漏极D,其中栅极G为控制端,源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示:

场效应管和晶闸管的区别

PMOS的衬底为N型半导体,在VGS《0时,会形成P沟道,所以叫做P沟道MOS;而NMOS的衬底为P型半导体,在VGS》0时,会形成N沟道,所以叫做N沟道MOS。

MOS管是电压驱动型的器件,主要用作可控整流、功率开关、信号放大等,应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平,对于NMOS而言,VGS 》0时,NMOS导通,否则NMOS截止;对于PMOS而言,VGS《0,PMOS导通,否则截止。

晶闸管又称可控硅,其与场效应管一样,皆为半导体器件,它们的外形封装也基本一样,但它们在电路中的用途却不一样。

场效应管和晶闸管的区别
▲ TO-220封装的BT136双向晶闸管。

场效应管和晶闸管的区别
▲ TO-220封装的N沟道MOS场效应管。

晶闸管可分为单向晶闸管和双向晶闸管两种。它们在电子电路中可以作为电子开关使用,用来控制负载的通断;可以用来调节交流电压,从而实现调光、调速、调温。另外,单向晶闸管还可以用于整流。

晶闸管在日常中用的很广,像家里用的声控灯,一般采用BT169、MCR100-6这类小功率单向晶闸管作为电子开关驱动灯泡工作。在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中,常用BT136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。

场效应管和晶闸管的区别
▲ 双向晶闸管的电路符号。

场效应管和晶闸管的区别
▲ MOS场效应管的电路符号。

场效应管属于单极型半导体器件,其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种,每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号,又可以作为开关器件用来控制负载的通断,故场效应管的用途比晶闸管更广一些。

在功放电路中,采用VMOS场效应管作为功率放大元件,可以提高音质;在开关电路中,驱动电机等大电流负载时,选用MOS场效应管作为电子开关,可以减轻前级驱动电路的负担(若选用晶闸管的话,需要从前级电路汲取较大的驱动电流)。

综上,场效应管和晶闸管的区别就是:场效应管既可以放大信号,亦可以作为高速电子开关控制负载的通断,同时还可以实现调速、调光、调温等功能,而晶闸管不能用来构成放大器放大信号,用作电子开关时,工作频率也不及场效应管高,只能用于低速控制。
 
 
 
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