达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。
特别推荐
- 贸泽电子发布新一期EIT计划，带领工程师快速了解WiFi7
- 贸泽电子开售适用于远距离边缘应用的Silicon Labs xG28系列SoC
- 鸿芯微纳王宇成：已实现数字EDA全流程工具最主要的几步
- MVG测试测量解决方案确保汽车天线通信性能的安全、稳定和高效
- 先进电气化技术加速实现可持续交通
- 设计支持宽输入电压和电池电压范围的应用
- 芯原股份戴伟民：Chiplet会在AIGC和智慧驾驶领域率先落地
技术文章更多>>
- 从 L1~L5 自动驾驶芯片发生了哪些变化？
- 利用低功耗 77GHz 雷达传感器改善运输和工业设计
- 设计支持宽输入电压和电池电压范围的应用
- 先进电气化技术加速实现可持续交通
- MVG测试测量解决方案确保汽车天线通信性能的安全、稳定和高效
技术白皮书下载更多>>
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
热门搜索
Taiyo Yuden
TDK-EPC
TD-SCDMA功放
TD-SCDMA基带
TE
Tektronix
Thunderbolt
TI
TOREX
TTI
TVS
UPS电源
USB3.0
USB 3.0主控芯片
USB传输速度
usb存储器
USB连接器
VGA连接器
Vishay
WCDMA功放
WCDMA基带
Wi-Fi
Wi-Fi芯片
window8
WPG
XILINX
Zigbee
ZigBee Pro
安规电容
按钮开关
