达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。
特别推荐
- 安森美与舍弗勒强强联手，EliteSiC技术驱动新一代PHEV平台
- 安森美与英伟达强强联手，800V直流方案赋能AI数据中心能效升级
- 贸泽电子自动化资源中心上线：工程师必备技术宝库
- 隔离变压器全球竞争图谱：从安全隔离到能源革命的智能屏障
- 芯海科技卢国建：用“芯片+AI+数据”重新定义健康管理
技术文章更多>>
- 安森美iGaN解密：打造300W游戏电源能效巅峰
- 意法半导体2025半年报亮相：IFRS标准下的全球半导体龙头中期答卷
- 理解具身智能：从“云端大脑”到“生活助手”的AI进化
- TAPP无线井下压力监测系统：油气井生产的“隐形数据眼”
- AFE7955：直接射频采样时代的多通道收发器，重构高性能系统设计
技术白皮书下载更多>>
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
热门搜索
OmniVision
Omron
OnSemi
PI
PLC
Premier Farnell
Recom
RF
RF/微波IC
RFID
rfid
RF连接器
RF模块
RS
Rubycon
SATA连接器
SD连接器
SII
SIM卡连接器
SMT设备
SMU
SOC
SPANSION
SRAM
SSD
ST
ST-ERICSSON
Sunlord
SynQor
s端子线
