你的位置:首页 > 知识课堂 > 正文

浪涌电压保护电容器的选择

发布时间:2013-09-18

开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器(如EPCOS B32620-J或B32651..56)通过吸收电压脉冲限制了峰值电压,从而对半导体器件起到了保护作用,使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。

浪涌电压保护电容器的选择
浪涌电压保护电容器的选择

半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值,因此,对于这种应用而言,薄膜电容器是恰当之选。

在额定电压值高达2000VDC的条件下,典型的电容额定值在470PF~47NF之间。对于大功率的半导体器件,如IGBT,电容值可高达2.2ΜF,电压在1200VDC的范围内。
浪涌电压保护电容器的选择
浪涌电压保护电容器的选择
不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时,还应考虑所需的DV/DT值。

耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此,应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。

综上所述,本文已为讲解浪涌电压保护电容器的选择,相信大家对浪涌电压保护电容器的选择的认识越来越深入,希望本文能对各位读者有比较大的参考价值

浏览过本文<浪涌电压保护电容器的选择>的人也浏览了   

基础知识
http://baike.cntronics.com/abc?page=100


电源用电容器的选择
http://www.cntronics.com/couple-art/80003193


基础知识
http://baike.cntronics.com/abc?page=167



要采购电容器么,点这里了解一下价格!
特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭