陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同 陶瓷材料其特性有非常大的差异，陶瓷电容按频率特性分有 高频瓷介电容器（1 类瓷）和低频瓷介电容器（2 类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器 （1KVDC 以上）和低压瓷介电容器（500VDC 以下），现分述如下： 类瓷介电容器） 1．高频瓷介电容器（亦称 1 类瓷介电容器） 高频瓷介电容器（ 该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小, （tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达 1000MHz 以上。同时该类瓷介电容器温度 特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。

 

陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷， 使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因。通常标 准上对低压圆片电容的允许直径 D≤12mm，高压电容的圆片允许直径 D≤16mm。如超过这 一尺寸，生产加工难度和废品率就会有很大增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将 对电容器的可靠性产生很大隐患。

 

因不同厂家在材料研制和工艺制造方面的水平不同，其 外形尺寸标准也有差异，故其容量标称范围也有部分区别。因此上述容量划分表只是一个 行业平均水平汇总的结果，今后随着材料工艺的进一步提高，陶瓷电容的尺寸会进一步缩 小，其容量范围就会进一步扩大。

 

圆片式瓷介电容器的包封形式通常按电压区分，500VDC 以下的低压产品 CC1、CT1 系 列均采用酚醛树脂包封，该树脂绝缘强度和耐湿性较差，但成本较低。为改善耐湿性，此 类包封外层均浸用一层薄蜡。

 

除圆片式瓷介电容器外，目前还广泛使用的有轴向引线色环陶瓷电容和贴片式陶瓷 电容，其内部结构为叠层方式，因而体积很小，但容量可以达到 1μF 以上，非常利于装 配，但由于其结构限制，绝缘电阻和耐压无法做得很高，因而目前只限于低压（50V 以 内）产品，其损耗和温度特性与圆片电容相同。

 

1．保证物料选用的通用性和标准化 保证物料选用的通用性和标准化： 保证物料选用的通用性和标准化 因不同的温度特性对应不同的容量范围和精度标准，因此在选用时必须符合系列标 准，且容值的选取必须符合 E24（或 E96）系列值。

 

应根据线路使用工作状态和环境条件，选择合适的型号，其主要参数应满足线路 应根据线路使用工作状态和环境条件，选择合适的型号，使用要求。

 

1）于高频谐振电路，除要求电容器损耗小外，还要求容量有良好的温度稳定性，通常选用 1 类瓷介电容，其中CH 特性亦称为零温度系数产品，其容量基本不随温度而变 化，但其容量仅在几 PF~几百 PF 之间。

2）对于做低频耦合、旁路、滤波的电容器，往住考滤小型化及低本成是主要的，而对损耗和容量的温度稳定性要求不高，一般可选用 2类瓷介电容器，其容量选择范围较宽。

3）陶瓷电容器虽然耐压余量较薄膜电容器和电解电容器要大，但也不允许在超过其 额定电压的条件下使用，否则由于电极中的金属离子在强电场作用下在陶瓷介质中的迁移 速度加快而导致电容器绝缘电阻下降而影响整机长期工作的可靠性。

4）对于高温和高压条件下工作的电容器，应注意选用绝缘电阻较高的产品，以防因 漏电增大产生恶性循环导致电容器失效。综上所述，陶瓷电容与其它电容相比，不同之处主要是陶瓷电容器根据材料不同存 在许多不同的温度组别，其特性和容量范围即有很大差异。