目前,RC吸收电路的原件选择在当代的应用可谓是越来越广泛,RC吸收电路的原件选择是值得我们好好学习的,现在我们就深入了解RC吸收电路的原件选择。
电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF,1kv 的电容器
电阻的选择:
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中,RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W,C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。
R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
RC吸收电路的原理及作用
综上所述,本文已为讲解RC吸收电路的原件选择,相信大家对RC吸收电路的原件选择的认识越来越深入,希望本文能对各位读者有比较大的参考价值。
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