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晶体管图示仪使用方法 晶体管图示仪参数 晶体管图示仪定义
晶体管图示仪定义
晶体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。
晶体管图示仪参数
荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数，如反向饱和电流Icbo,Iceo和各种击穿电压BVceo、BVcbo、BVebo等。
Y轴集电极电流范围：1μA-200mA/div ，按1、2、5顺序分17档，误差≤±3％漏电流范围:10nA-500nA/div,按1、2、5顺序分6档，误差≤±10％基极源电压：0.01V-1V/div，按1、2、5顺序分7档，误差≤±3％X轴集电极电压范围：0.01V-50V/div ，按1、2、5顺序分12档，误差≤±3％基极电流或基极源电压：0.1V/div ，误差≤±3％阶梯信号阶梯电流范围：0.1μA/级-20mA/级 ，按1、2、5顺序分17档，误差≤±5％阶梯电压范围：0.01V/级-1V/级 ，按1、2、5顺序分7档，误差≤±5％阶梯极性：正、负两档,由测试盒NPN,PNP转换开关实现串联电阻：0-300KΩ,按1,3顺序分为11档,误差≤±5％每秒级数：200阶梯输入：正常、零电压、零电流三档集电极扫描信号峰值电压及电流容量：0-50V 2A(峰值) 0-500V 0.2A(峰值)功耗限制电阻：0-500KΩ ,按1、2、5顺序分19档，误差≤±5％校准电压：可进行—10div校准，分—0.1V、—0.2V、—0.5V、—1V四档电源：220V±10% 50Hz±5%功率消耗：约45VA(最大时约92VA)预热时间：15min
晶体管图示仪使用方法
此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共17挡的旋钮开关，用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性曲线时，该旋钮置VBE的有关挡。
晶体管图示仪
2.“电流／度”旋钮开关
此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关，用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置Ic的有关挡。测量输入特性时，该旋钮置“基极电流或基极源电压”挡(仪器面板上画有阶梯波形的一挡)。
3.“峰值电压范围”开关和“峰值电压％”旋钮
4.“功耗限制电阻”旋钮
“功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而限制被测管的功耗。测试功率管时，一般选该电阻值为1kΩ。
5.“基极阶梯信号”旋钮
此旋钮给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间的差值大小由“阶梯选择毫安／级”来选择。为方便起见，一般选10μA。每个周期中阶梯信号的阶梯数由“级族”来选择，阶梯信号每簇的级数，实际上就是在图示仪上所能显示的输出特性曲线的根数。阶梯信号每一级的毫安值的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
6.“零电压”、“零电流”开关
此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡(只有开路时，才能保证电流为零)。当测量晶体管的击穿电流时，需要使被测管的基、射极短路，这时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。
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