三楼说的很详细,非常感谢!第四个问题的后半部分是:晶振+1M欧电阻+2个20PF的电容构成的电路,
XTAL1(输入)是什么波形?(XTAL2为12MHZ的方波是吗?)

答卷：
问题一——滤波：多用于直流电路中，引入滤波电容的原因是要获得平滑稳定的电压，因为电容两端的
电压不能突变，所以它能抑制电压的波动，使电压变得平稳光滑。
去耦：也叫退耦，主要作用有两个：1、去除器件之间的交流射频耦合。它能将器件的电源端上瞬间的
尖峰、毛刺对地短路掉。理论上，频率越高，需要的去耦电容越小。
旁路：旁路电容的作用是将回路中不需要的交流信号对地短路掉。
问题二——你的说法理论上没有错，但是几乎没有人去这么说。
电容在耦合的时候当然是串联在电路中的，如果它并联在器件之间，那到底是谁和谁耦合？去耦当然是
并联在器件的两端，注明：电源端和地线，在具体运用的时候记得电容要尽量靠近电源端，去耦效果好，
这是经验。旁路一般是把电阻和电容并联在一起，然后串联在某个回路中，通常这么用。

问题三：这个问题没有具体的答案。很难计算。但理论上肯定是频率越高需要的电容越小的，因为频率
越高，电容的容抗越小，电路中的交流干扰成分对地短路的程度越高，也就是衰减越大，这是我们想要
的，但在实际的运用中，同样的频率，用0.1uF的电容和用0.01uF的电容效果几乎是一样的，谁也没办
法解释，但通常有经验的工程师都喜欢用0.1uF，记住就可以了。

问题四：在晶振两端对地接电容是为了校正时钟波形。晶振和集成电路内部的电路组成震荡器，这两个
小电容就是配合这个振荡器工作用的，也可以说是振荡器的一部分。12M的晶振不一定非要用20P的，
具体用多大的电容取决于你的芯片，比如51单片机要30pF，AVR单片机要22pF，这个和晶振的频率没
有关系的。
问题四后面的那句话没有分析明白，请说的清楚一点，你模拟的电路中有晶振么？有晶振的话就不用任
何输入波形，没有的话直接给12M的方波信号源就可以了，但是要在XTAL1和XTAL2中选一个，这两个中
肯定有一个可以直接输入外部之中频率，具体哪一个，你需要查一下器件资料，直接用12M方波的信号源
接到这个引脚上就可以了。


电容器的作用？

问题：
压缩机的运行电容在压缩机运行过程中起什么作用？

答卷：
作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种： 

1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用，下面分类详述之： 

1）旁路 

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可
充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放 电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载
器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连
接处在通过大 电流毛刺时的电压降。 

2）去藕 

去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动
电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上 升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的
电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），
这种电流相对 于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。 

去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 

将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高
频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防 途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率
一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动
 电流的变化大小来确定。 

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返
回电源。这应该是他们的本质区别。 

3）滤波 

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电
容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率 高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大
电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻
低频。电 容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000uF)滤低
频，小电容(20pF)滤高频。 
曾有网友将滤波电容 比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越
大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。 它把电压的变动转化
为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 

4）储能 

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值
为40～450VDC、电容值在220～150 000uF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的 B43504或B43505）
是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过
10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 

2、应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用： 

1）耦合 

举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成
了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元 件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当
容量的电容器对交流信号较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。 

2）振荡/同步 

包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。 

3）时间常数 

这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐
上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公
式描述： 
i = (V/R)e-(t/CR)