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自举电路工作原理

发布时间:2013-03-05

自举电路工作原理


自举电路也叫升压电路,利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
自举电路
图一:自举电路

自举电路的基本结构

一种自举电路包括:输出晶体管、设置在输出晶体管的栅极和源极之间的自举电容器、电源以及执行从电源到晶体管的栅极的供电接通/ 断开控制的电路。独立于晶体管的阈值电压,将自举效应之前的初始电压设为电源的电势。因此,取决于晶体管的阈值电压的变化不会影响由于自举效应引起的晶体管的源极输出的上升或下降。

自举电路工作原理分析

OTL功率放大器中要设自举电路,图18-9所示是自举电路。电路中的C1,R1和R2构成自举电路。C1为自举电容,R1O 隔离电阻,R2将自举电压加到VT2基极。
自举电路工作原理
图二:自举电路工作原理

B140-13-FVT1集电极信号为正半周期间VT2导通、放大,当输入VT2基极的信号比较大时,VT2基极信号电压大,由于VT2发射极电压跟随基极电压,VT2发射极电压接近直流工作电压+V,造成VT2集电极与发射极之间的直流工作电压减小,VT2容易进入饱和区,使三极管基极电流不能有效地控制集电极电流。换句话讲,三极管集电极与发射极之间直流工作电压减小后,基极电流增大许多才能使三极管集电极电流有一些增大,显然使正半周大信号输出受到抑制,造成正半周大信号的输出不足,必须采取自举电路来加以补偿。

N 沟道高端栅极驱动器

直接式驱动器:MOSFET最简单的高端应用,由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动,但它必须满足下面两个条件:VCC<Vgs,max and Vdc<VCC-Vgs,miller

浮动电源栅极驱动器:独立电源的成本影响是很显著的。光耦合器相对昂贵,而且带宽有限,对噪声敏感。
变压器耦合式驱动器:在不确定的周期内充分控制栅极,但在某种程度上,限制了开关性能。但是,这是可以改善的,只是电路更复杂了。电荷泵驱动器:对于开关应用,导通时间往往很长。由于电压倍增电路的效率低,可能需要更多低电压级泵。自举式驱动器:简单,廉价,也有局限。例如,占空比和导通时间都受到刷新自举电容的限制。需要电平转换,以及带来的相关问题。

 
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