ZnO压敏电阻实际上是一种伏安特性呈非线性的敏感元件,在正常电压条件下,这相当于一只小电容器,而当电路出现过电压时,它的内阻急剧下降并迅速导通,其工作电流增加几个数量级,从而有效地保护了电路中的其它元器件不致过压而损坏,它的伏安特性是对称的,如图(1)a 所示。
这种元件是利用陶瓷工艺制成的,它的内部微观结构如图(1)b 所示。微观结构中包括氧化锌晶粒以及晶粒周围的晶界层。氧化锌晶粒的电阻率很低,而晶界层的电阻率却很高,相接触的两个晶粒之间形成了一个相当于齐纳二极管的势垒,这就是一压敏电阻单元,每个单元击穿电压大约为3.5V,如果将许多的这种单元加以串联和并联就构成了压敏电阻的基体。串联的单元越多,其击穿电压就超高,基片的横截面积越大,其通流容量也越大。
压敏电阻在工作时,每个压敏电阻单元都在承受浪涌电能量,而不象齐纳二极管那样只是结区承受电功率,这就是压敏电阻为什么比齐纳二极管能承受大得多的电能量的原因。
压敏电阻在电路中通常并接在被保护电器的输入端,如图(2)所示。
压敏电阻的Zv与电路总阻抗(包括浪涌源阻抗Zs)构成分压器,因此压敏电阻的限制电压为V=VsZv/(Zs+Zv)。Zv的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧,甚至小于1Ω。由此可见Zv在瞬间流过很大的电流,过电压大部分降落在Zs上,而用电器的输入电压比较稳定,因而能起到的保护作用。
图(3)所示特性曲线可以说明其保护原理。直线段是总阻抗Zs,曲线是压敏电阻的特性曲线,两者相交于点Q,即保护工作点,对应的限制电压为V,它是使用了压敏电阻后加在用电器上的工作电压。Vs为浪涌电压,它已超过了用电器的耐压值VL,加上压敏电阻后,用电器的工作电压V小于耐压值VL,从而有效地保护了用电器。不同的线路阻抗具有不同的保护特性,从保护效果来看,Zs越大,其保护效果就越好,若Zs=0,即电路阻抗为零,压敏电阻就不起保护作用了。图(4)所描述的曲线可以说明Zs与保护特性之间的关系。
主要技术指标
对于选择压敏电阻来说,哪些指标是必须考虑的?对信号传输线路,进行ESD防护,须考虑:
(1)压敏电阻最大工作电压大于电路工作电压;
(2)压敏电阻电容量与信号传输速率相匹配,即压敏电阻在信号传输时,对信号没有衰减;
(3)压敏电阻耐ESD能力与整机要求相符。
对电源线路,进行感应过电压、操作过电压防护,须考虑:
(1)压敏电阻最大工作电压大于电路工作电压;
(2)压敏电阻的最大峰值电流、能量耐量须大于电路中可能出现的感应过电压、操作过电压幅值。在电路结构、空间位置、设计成本许可的条件下,尽可能选用电容量大或尺寸大的产品。
实际上,任何一种片式氧化锌压敏电阻,均能进行感应过电压、操作过电压、ESD防护。
特别推荐
- 【“源”察秋毫系列】下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 集成开关控制器如何提升系统能效?
- 工业峰会2024激发创新,推动智能能源技术发展
- Melexis推出超低功耗车用非接触式微功率开关芯片
- Bourns 发布新款薄型线性滤波器系列 SRF0502 系列
- 三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品
- ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
技术文章更多>>
- AMTS & AHTE South China 2024圆满落幕 持续发力探求创新,携手并进再踏新征程!
- 提高下一代DRAM器件的寄生电容性能
- 意法半导体Web工具配合智能传感器加快AIoT项目落地
- 韧性与创新并存,2024 IIC创实技术再获奖分享供应链挑战下的自我成长
- 上海国际嵌入式展暨大会(embedded world China )与多家国际知名项目达成合作
技术白皮书下载更多>>
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
热门搜索
SynQor
s端子线
Taiyo Yuden
TDK-EPC
TD-SCDMA功放
TD-SCDMA基带
TE
Tektronix
Thunderbolt
TI
TOREX
TTI
TVS
UPS电源
USB3.0
USB 3.0主控芯片
USB传输速度
usb存储器
USB连接器
VGA连接器
Vishay
WCDMA功放
WCDMA基带
Wi-Fi
Wi-Fi芯片
window8
WPG
XILINX
Zigbee
ZigBee Pro