晶体二极管的简介

晶体二极管（crystaldiode），简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件，是固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。 晶体二极管的分类

半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：

晶体二极管根据构造分类：点接触型二极管、键型二极管、合金型二极管、扩散型二极管、台面型二极管、平面型二极管、合金扩散型二极管、外延型二极管。
          
晶体二极管的作用

晶体二极管是一种具有单向导电性的电子器件（即只允许电流往一个方向流过，就是箭头方向），它类似于我们生活中所用的开关，当它正向导通时，相当于开关处于闭合状态，导通电阻很小；当它反向时，相当于开关处于断开状态，导通电阻极大或无穷大。
1、正向特性

当 加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后， 管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。

2、反向特性

二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。

3、击穿特性——稳压二极管原理

当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

4、频率特性——变容二极管原理

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

晶体二极管的分析方法

D的伏安特性

1、图解分析法（Graphical Analysis）

利用二极管曲线模型，特性曲线与管外电路方程（负载线）的交点Q，即为所求静态工作点（IQ，VQ）

2、简化分析法

利用简化电路模型

当 Vdd大于Vd（on） 时,D导通

通常R＞＞RD，RD可忽略, D为恒压模型