晶体三极管的简介
晶体三极管又称“半导体三极管”或“晶体管”。晶体三极管（以下简称三极管）作为一个常用器件，是构成现代电子世界的重要基石。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
晶体三极管
晶体三极管由三块半导体构成，它共有三个电极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。每个电极的电流分别是：基极电流、集电极电流、发射极电流。通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
对于NPN型三极管而言，由两块N型和一块P3型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧，各半导体所引出的电极名称。
晶体三极管的工作原理
晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
晶体三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β=△Ic/△Ib
式中β--称为 交流电流放大倍数 ，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
无论是NPN型三极管还是PNP型三极管，三个电极电流之间关系相同，各电极电流之间的关系，是必须要掌握的知识。三极管能将直流电源的电流按照输入电流五的要求（变化规律）转换成相应的电流Ic和IE,从这个角度上讲三极管是一个电流转换器件。
所谓三极管的电流放大作用，就是将直流电源的电流，按输入电流五的变化规律转换成相应的按同样规律变化的Ic、IE。由于基极电流五很小，而集电极电流五和发射极电流IE很大，因而说三极管具有电流放大作用。
晶体三极管的工作原理
1.在B极与E极之间施加正向电压（此电压大小不能超过1V）；
2.在C极与E极之间施加反向电压（此电压应比EB间电压较高）；
3.若要取得输出必须施加负载及负载电阻。
晶体三极管的作用
1.设计反相器管。
2.设计集成电路。
3.放大电流。
特点：
基区的宽度做得非常薄
发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
在这些材料中，反映了晶体三极管的工作原理，这就是通常所说的三极管的电流放大作用。希望通过今天本文的讲解能给大家在生活中有一定的指导作用。
