电容--电压

电容-电压技术（C-V technique）就是通过测量电容与电压的关系来求得体系的有关性能参量的一种技术。对单边突变的p+-n结，其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结, 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。 

对于一般的p-n结或者金属-半导体接触，也可通过C-V曲线的测量来得到轻掺杂一边的杂质浓度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。对于MOS系统，通过其高频C-V特性曲线的测量（或者再加热测量）还可以得到其中的界面态和固定的与可动的电荷的数量；在MOS器件及其IC的制造过程中，C-V测量技术已经成为了一种常规的检测手段，用来监控工艺的质量。 

                                     图1· 电容与电压原理图

电容--电压原理

电容两端的电压不能突变，有一个充电的过程，电压滞后于电流，在纯电容电路中，电压超滞后于电流90度！电容与电感相反。交流电的正半周到来，先向电容充电，形成充电电流，根据电容的大小决定此电流的大小，负半周到来时电容上被充上的正电荷又向负端放电，形成放电电流，此时正半周又同时向电容的另一端充电，一个半波过去，又会重复上述过程，这样，电容虽说是绝缘的，不会有任何电流流过，但在电路里却形成了交变电流，这就是电容的功能，接上负载，电流流过负载做功 对于同种型号的电容器，容量和电压与电容器的体积有较大的关系。电压降到是工作的条件，容量讲的是存储电荷的多少，没有直接关系。

                                          图2·电容与电压的关系

电容--电压的分辨

电解电容等体积比较大的电容，以及高压瓷片电容等外表标有耐压值，没有标耐压的瓷片电容，其耐压值为50V，涤纶电容等用数字和英文字母表示耐压和容量，如2A103J，表示耐压为100V容量为0.01u误差为5%的电容。 第一位数表示耐压值的倍率， 第二位字母表示标称值，用A、B、C、D、E、F、G、H、J分别表示1.0、1.25、1.6、2.0、2.5、3.15、4.0、5.0、6.3。 第三位和第四位表示容量的前两位数， 第五位表示容量值的倍率， 最后一位表示误差，用字母F、G、J、K、L、M表示1%、2%、5%、10%、15%和20%。