半导体存储器

所谓半导体存储器，其英文名称为semi-conductor memory，就是一种以存储二值信息的大规模集成电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。 常用于存储程序、常数、原始数据、中间结果和最终结果等数据，是微型计算机的重要记忆元件。半导体存储器有存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点，主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

半导体存储器

半导体存储器原理

半导体存储器因其存储元器件及其工作原理不同而类别不同。输入的地址码(address or address code)信号通过地址缓冲器(address buffer) 进入译码器（decoder），如果存储器有 N个地址码输入端，则该存储器的记忆容量为2N比特；在由一个个存储单元有规律地排列而组成的存储器阵列(memory array)中，有2n根字线（word line, WL）和 2N-n 根位线（bit line, BL）相互垂直交叉排列；在每一个字线和位线的交叉点上接有存储单元即元器件；在读出数据时，首先由行译码器选择其中一根字线，接在这一根字线（行）上的所有的存储单元与各自的位线（列）相连接，各个位线上得到与存储单元所记忆的数据相对应的微小信号，通过读出放大器 （sense amplifier）进行放大；然后，由列译码器选择其中一个读出并放大，将放大了的信号通过多路输出缓冲器（multiplexer）送给输出电路；在写数据时，要将写入的数据送给由列译码器选择的位线，通过特定的写入电路将数字信号写入指定的存储单元。

值得一提的是，存储阵列(memory array)之外的其它元器件和子系统，包括地址缓冲器(address buffer)、译码器（decoder）和控制器(controller)，也都是由逻辑器件以及子系统所构成；因此，要想通过同一个制程，把上百万个高密度一种或者多种存储单元器件，和支持存储器工作的所有逻辑元器件与电路完成，并保证各个元器件和整个系统达到规定的技术指标与要求，对芯片制成工艺及其技术是一种极高的技术挑战，尤其是对于嵌入一种或多种存储器件单元的数字集成系统芯片将更为明显。

半导体存储器的分类

按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM） 　　

RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。 　　

ROM 主要用于BIOS存储器。 　　

按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。 　　

按其存储原理可分为：静态和动态两种。 　　

其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。 　　

主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

半导体存储器的技术指标

半导体存储器的技术指标主要有： 　　

1. 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 　　

2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 　　

3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 　　

4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 　　

5. 功耗：动态功耗、静态功耗

半导体存储器杂谈

和逻辑运算器一样，半导体存储器同样也是各种电子计算机的关键部件，并且广泛应用于各类通讯和家用电子设备中；如今大到超级计算机和航天飞机，小到手机、语言复读机、各种电子玩具以及智能卡，都用到不同种类的半导体存储器；没有存储记忆功能的数字集成系统芯片(system on chip, SOC)，就像人的大脑失去了记忆，如此可知存储器和逻辑运算器同等重要、缺一不可。

现代半导体存储器的基本特点包括高密度、大容量、高速度、低功耗、低成本、类型多、功能强、用途广，几乎在每种半导体存储器中都采用金属-氧化层-半导体（MOS）工艺，并位于整个MOS芯片制造工艺的前沿。

综上所述，本文已为讲解半导体存储器，相信大家对半导体存储器的认识越来越深入，希望本文能对各位读者有比较大的参考价值

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