目前，mos管参数在当代的应用可谓是越来越广泛，mos管参数是值得我们好好学习的，现在我们就深入了解mos管参数。

mos管参数

MOS管主要参数
1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿

mos管参数

常用MOS管参数
DISCRETE
MOS FET      2N7000   60V,0.115A  TO-92

DISCRETE
MOS FET      2N7002   60V,0.2A    SOT-23

DISCRETE
MOS FET     IRF510A   100V,5.6A   TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF520A   100V,9.2A   TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF530A    100V,14A   TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF540A    100V,28A   TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF610A    200V,3.3A  TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF620A    200V,5A    TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF630A    200V,9A    TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF634A    250V,8.1A  TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF640A    200V,18A   TO-220

DISCRETE
MOS FET     IRF644A    250V,14A   TO-220

综上所述，本文已为讲解mos管参数，相信大家对mos管参数的认识越来越深入，希望本文能对各位读者有比较大的参考价值

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