【导读】区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
普通硅二极管和肖特基二极管的相同
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。
普通硅二极管和肖特基二极管区别
区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
除了型号，普通硅二极管和肖特基二极管在外形上一般没什么区别，但可以测量正向压降进行区别，直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下; SR350就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。
普通硅二极管
肖特基二极管
快恢复二极管和肖特基二极管区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒） ，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V， 多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
快恢复二极管的优点还有低功耗，大电流，超高速。电气特性相差不大
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
快恢复二极管
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