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陶瓷电容器的温度特性详解

发布时间:2020-01-16

【导读】陶瓷电容器 (ceramic capacitor;ceramic condenser ) 就是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状。
 
什么是陶瓷电容器?
陶瓷电容器 (ceramic capacitor;ceramic condenser ) 就是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状。
 
陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称。其品种繁多,(CG电容器、Y电容、高压陶瓷电容、交流陶瓷安规电容)外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压,中压和低压陶瓷电容器。按温度系数,介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。此外,还有I型、II型、III型的分类方法。一般陶瓷电容器和其他电容器相比,具有使用温度较高,比容量大,耐潮湿性好,介质损耗较小,电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中,用量十分可观。
 
陶瓷电容器的温度特性详解
 
这几种是:Y5V,X5R,X7R,NPO(COG)
 
那么这些材质代表什么意思呢?第一位表示低温,第二位表示高温,第三位表示偏差
 
Y5V表示工作在-30~+85度,整个温度范围内偏差-82%~+22%
X5R表示工作在-55~+85度,整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度,整个温度范围内偏差正负15%
 
NPO(COG)是温度特性最稳定的电容器,电容温漂很小(什么是温漂?你上网查查),整个温度范围容量很稳定,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大,几千个pF吧。
 
陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡电路中,作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的 场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脉冲电压击穿,故不能使用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。
 
陶瓷电容器的温度特性
应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性;
不同材料的陶瓷介质,其温度特性有极大的差异。
 
第一类陶瓷介质电容器的温度性质
根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母C)温度系数α的有效数字;第二位部分有效数字的倍乘(如0即为100);第三部分为随温度变化的容差(以ppm/℃表示)。这三部分的字母与数字所表达的意义如表。
 
陶瓷电容器的温度特性详解
 
例如,C0G(有时也称为NP0)表示为:第一位字母C为温度系数的有效数字为0,第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1,第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃,即0±30ppm/℃;C0H分别表示为:第一位字母C为温度系数的有效数字为0,第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1,第三位字母H为随温度变化的容差为±60ppm/℃,即0±60ppm/℃;S2H则分别表示为:第一位字母S为温度系数的有效数字为3.3,第二位数字2为有效温度系数的倍乘为102=100,第三位字母H为随温度变化的容差为±60ppm/℃,即-330±60ppm/℃
 
第一类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化,下面以C0G介质为例。C0G介质的变化量仅0±30ppm/℃,实际上C0G的电容量随温度变化小于0±30ppm/℃,大约为0±30ppm/℃的一半。
 
陶瓷电容器的温度特性详解
 
第二类陶瓷介质电容器的温度性质
根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母X)最低工作温度;第二位部分有效数字为最高工作温度;第三部分为随温度变化的容差(以ppm/℃表示)。这三部分的字母与数字所表达的意义如表 。
 
陶瓷电容器的温度特性详解
 
常见的Ⅱ类陶瓷电容器有: X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U
 
其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;
 
X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;
 
Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%。
 
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%。


 
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